產(chǎn)品名稱(chēng)

磷化銦(InP)晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構:立方晶系

晶格常數:a=5.4505  ?

摻雜:None;Sn;S;Fe:Zn

密度:4.81g/cm3

硬度:3 Hohs

導電類(lèi)型:N;N;N;Si;P

折射率:3.45

載流子濃度:1-2x1016  1-4x1018  1-3x1018  .64x1018

位錯密度:<5x104 cm-2

生長(cháng)方法:LEC

熔點(diǎn):1062℃

彈性模量:7.1E1ldym  cm-2

產(chǎn)品規格

常規晶向: 

常規尺寸:2″~x0. 5mm  10x10x0.5mm

拋光情況:單拋

表面粗糙度:15A

注:只寸及方向可按照客戶(hù)要求定做

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷，表面可能會(huì )有小黑點(diǎn)，微小氣泡等

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝