產(chǎn)品名稱(chēng)

銻化銦(InSb)晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構：立方晶

晶格常數：6.06 ?

硬度（Mohs）：3.8

密度：5.66g/cm³

熔點(diǎn)：942℃

摻雜：None;Te;Ge

導電類(lèi)型：N型 和 P型

載流子濃度：1-5x10¹⁴   1-2x10¹⁵ 

 位錯密度：<2x102 cm^-2

生長(cháng)方法：FZ 或 LCE

產(chǎn)品規格

常規晶向：（100）

公差：±0.5o

常規尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm

拋光情況：?jiǎn)螔?span>  雙拋

表面粗糙度：<15?

注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。

晶體缺陷

人工金屬單晶存在常見(jiàn)晶體缺陷等。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。