產(chǎn)品名稱(chēng)

砷化銦（InAs）晶體

技術(shù)參數

晶體結構：立方晶系

晶格常數：a=5.4505 ?

摻雜類(lèi)型：不摻雜

導電類(lèi)型：N

載流子濃度：2 ~ 5E16 / cm3 

遷移率：>18500cm2/V.S 

生長(cháng)方法：CZ

產(chǎn)品規格

常規晶向： 

常規尺寸：2"x0.5mm  10x10x0.5mm

拋光情況：?jiǎn)螔?span>  雙拋

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶有可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。