發(fā)布時(shí)間：2024-03-23 瀏覽次數：285
近十年來(lái)，β-氧化鎵（β-Ga2O3）材料和器件技術(shù)取得了快速發(fā)展，其禁帶寬度EG=4.9eV，遠超碳化硅(約3.4eV)、氮化鎵(約3.3eV)和硅(1.1eV)，其導電性能和發(fā)光特性良好，具有很強的電子學(xué)、光學(xué)和熱學(xué)性能。它具有高折射率、可調諧的拉曼散射響應、低的漏電流和以非常穩定的外延特性。它還具有出色的小波紋動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)特性和高的發(fā)射效率。此外，它還具有很高的壓集能和硒的抗氧化能。
?-Ga2O3是一種透明的氧化物半導體材料，在光電子器件方面有廣闊的應用前景 ，被用作于Ga基半導體材料的絕緣層，以及紫外線(xiàn)濾光片。它還可以用作O2化學(xué)探測器。
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產(chǎn)品名稱(chēng) |
?-Ga2O3單晶基片 |
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技術(shù)參數 |
晶體結構：?jiǎn)涡本?span> |
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晶格常數：a=12.23A,b=3.04A, c=5.80A, ?=103.7° |
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密度：5.95g/cm3 |
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熔點(diǎn)：1725℃ |
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摻雜類(lèi)型：N型 |
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電阻率：R≤0.2Ω·cm |
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遷移率：300cm2/v·s |
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禁帶寬：4.8-4.9V |
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產(chǎn)品規格 |
常規晶向： (100) |
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常規尺寸：10x10x0.7-0.8mm. |
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拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋 |
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表面粗糙度：<15A |
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注：尺寸可按照客戶(hù)要求定做。 |
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晶體缺陷 |
人工生長(cháng)單晶有可能存在晶體內部缺陷。 |
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標準包裝 |
1000級超凈室100級超凈袋真空包裝 |
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