產(chǎn)品名稱(chēng)：

GaTe 單晶基片

技術(shù)參數：

電阻率:N/A

產(chǎn)品規格;

晶向:(0001)

尺寸:10x10x1.0mm

拋光情況:拋光，自然解理面

注:可按客戶(hù)要求定制方向和尺寸

標準包裝

標準包裝:1000 級超凈室，100級超凈袋

產(chǎn)品名稱(chēng)

氮化鎵(GaN)晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構：六方晶系

晶格常數a= 3.186 ? ,  c = 5.186 ? 

 傳導類(lèi)型：N型摻Si；N型不摻雜

可用表面積：>90%

位錯密度：（5-9）x105Ω.cm

電阻率：R<0.05 Ω.cm；R<0.1Ω.cm

介電常數：8.9

TTV：≤15um

密度：6.15（g/cm3）

生長(cháng)方法：HVPE（氫化物氣相外延法）

產(chǎn)品規格

常規晶向：  (0001)

常規尺寸：10.5x10x0.35mm、5x5x0.35mm

表面粗糙度：<5?

注：尺寸可按照客戶(hù)要求定做。

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶有可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋或單片盒裝