產(chǎn)品名稱(chēng)

Ga:ZnO晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構：六方晶系

晶格常數： a= 3.252 ? ,  c = 5.313 ?  

熔點(diǎn)：1975℃

硬度：4 Mohs

密度：~5.7 g/cm3

帶隙：3.37eV

介電常數：8.5

比熱容：0.125 cal/gm

導電性：N type

導熱系數：0.006 cal/cm/ oK

熱膨脹系數：2.90 x 10-6/oK

位錯密度：< 4 x 104 /cm2

產(chǎn)品規格

常規晶向：  (0001)

常規尺寸：5x5x0.5mm、10x5x0.5mm、10x10x0.5mm

表面粗糙度：<5A

注：尺寸可按照客戶(hù)要求定做。

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶有可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋真空包裝