產(chǎn)品名稱(chēng)

SiO2 晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構：六方晶系 

晶格常數：a=4.914?  c=5.405 ?

密度：2.533   

熔點(diǎn)：1700℃ ( phase transition point: 573.1oC)

莫氏硬度：（Mohs）7.0    

折射率：1.544

介電常數：3.6

熱膨脹系數5×10-7/k

生長(cháng)方法：水熱法

產(chǎn)品規格

常規晶向： Y、X或Z切，Y在30o~42.75 o ±5分范圍內旋轉任意值  

常規尺寸： 10x10x0.5mm;dia2"x0.5mm;dia4"x0.5mm;

拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋

拋光面粗糙度：< 5A注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶都可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝。