發(fā)布時(shí)間：2024-07-09 瀏覽次數：40
4H-SiC晶體基片是碳化硅（SiC）的一種晶體類(lèi)型，碳化硅有大約250種晶體類(lèi)型，包括3C、4H和6H等，但4H-SiC尤其受到人們的關(guān)注。"4H"代表六角晶型，數字“4”表示C-Si雙原子層沿C方向的堆垛周期數。
4H-SiC晶體基片的制備工藝一般包括物理氣相傳輸法（PVT），這種方法可以制備出直徑209 mm的4H-SiC單晶，然后通過(guò)多線(xiàn)切割、研磨和拋光等一系列加工工藝制備出標準8英寸SiC單晶襯底。此外，另一種新的突破方法是晶圓級立方碳化硅單晶生長(cháng)，該晶體與目前應用廣泛的六方碳化硅（4H-SiC）不同，有望制備出更高性能的產(chǎn)品。
在電學(xué)性質(zhì)上，4H-SiC具有顯著(zhù)的優(yōu)勢。例如，其禁帶寬度可以達到3.26eV，遷移率高：900cm2/V.s。因此，4H-SiC晶體基片被廣泛應用于電力電子、射頻微波等領(lǐng)域。
產(chǎn)品名稱(chēng)
4H-SiC晶體基片
技術(shù)參數
晶體結構: 六方晶系
晶格常數：a=3.08? c=10.05?
熔點(diǎn)2827℃
硬度(Mohs)：≈9.2
方向：生長(cháng)軸或偏(0001) 3.5°
密度（g/cm3）3.16
帶隙：2.93eV (間接)
導電類(lèi)型：N導電
電阻率:0.1-0.01 ohm-cm
介電常數：e(11) = e(22) = 9.66 e(33) = 10.33
導電率：5W / cm·K
生長(cháng)方式：MOCVD(有機金屬化學(xué)氣相沉積）
產(chǎn)品規格
常規晶向：
常規尺寸：10x5mm 10x10mm,dia2"x0.33mm,dia4"x0.35mm
拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋拋光面：常規單拋為“Si” 面拋光，可按要求做“C”面拋光
拋光面粗糙度：< 15A注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。
晶體缺陷
人工生長(cháng)單晶都可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
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