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Ⅱ-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來(lái)用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設備提供了廣泛選擇的可能性。
產(chǎn)品名稱(chēng)
碲化鋅(ZnTe)晶體基片
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Ⅱ-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來(lái)用于突出拍攝上。他們的直接帶的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設備提供了廣泛選擇的可能性。
技術(shù)參數
生長(cháng)方法:Bridgeman
結構:立方
晶格常數(?) :6.103
密度(g/cm3):5.633
熔點(diǎn)(℃):1239
熱容(J/g.k):0.16
熱膨脹系數(10-6/k):8.0
透明波長(cháng)(μm)7 -12(>66%)
折射率:2.7
產(chǎn)品規格
碲化鋅:N型
標準規格:<110>、5x5x1.0mm、10x10x1.0mm、雙拋
表面粗糙度Ra:<15A
注:尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做
晶體缺陷
人工生長(cháng)單晶都可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝
1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢(xún)電話(huà):199-5653-2471王經(jīng)理