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ZNTE晶體

發(fā)布時(shí)間:2024-07-13  瀏覽次數:29


Ⅱ-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來(lái)用于突出拍攝上。他們的直接帶隙的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設備提供了廣泛選擇的可能性。

產(chǎn)品名稱(chēng)

碲化鋅(ZnTe)晶體基片

產(chǎn)品簡(jiǎn)介

-Ⅵ族晶體有可能在不久的將來(lái)用于突出拍攝上。他們的直接帶的性質(zhì)和大范圍的透明度以及一個(gè)帶隙,為有趣的設備提供了廣泛選擇的可能性。

技術(shù)參數

生長(cháng)方法:Bridgeman

結構:立方

晶格常數(?) :6.103

密度(g/cm3:5.633

熔點(diǎn)(℃):1239

熱容(J/g.k:0.16

熱膨脹系數(10-6/k:8.0

透明波長(cháng)(μm7 -12(>66%

折射率:2.7

產(chǎn)品規格

碲化鋅:N

標準規格:<110>、5x5x1.0mm、10x10x1.0mm、雙拋

表面粗糙度Ra<15A

注:尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶都可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室,100級超凈袋或單片盒封裝

晶體材料咨詢(xún)電話(huà):199-5653-2471王經(jīng)理



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