產(chǎn)品名稱(chēng)

砷化鎵(GaAs)晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構：立方晶系

晶格常數：a=5.6534?

導電類(lèi)型：N型摻Si；N型摻Te；不摻雜；P型摻Ga  

熔點(diǎn)：1237°C

禁帶寬度:1.4電子伏

介電常數：13.1

位錯密度：<5x103cm^2 等

遷移率：(3500-3600)cm2/vs 等

生長(cháng)方法:VGF生產(chǎn)方法

產(chǎn)品規格

常規晶向： 、、

常規尺寸：10x10x0.35mm；dia2″x0.35mm；

拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶有可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室100級超凈袋