發(fā)布時(shí)間：2024-03-16 瀏覽次數：266
鍺酸鉍（Bi4Ge3O12簡(jiǎn)稱(chēng)BGO）是一種具有立方結構、無(wú)色透明的無(wú)機氧化物晶體，它不溶于水，在高能粒子或高能射線(xiàn)（x-射線(xiàn)、γ-射線(xiàn)）激發(fā)下能發(fā)出峰值為480nm波長(cháng)的綠色熒光。BGO晶體具有強阻止射線(xiàn)能力、高閃爍效率、優(yōu)良的能量分辨率及不潮解等優(yōu)點(diǎn)，所以是一種優(yōu)良的閃爍體，廣泛應用于高能物理、核物理、空間物理、核醫學(xué)、地質(zhì)勘察和其它工業(yè)領(lǐng)域。
產(chǎn)品名稱(chēng)
鍺酸鉍(Bi4Ge3O12)晶體基片
技術(shù)參數
晶體結構：立方晶系
晶格常數：a=10.518?
純度：>99.99％
密度：7.12g/cm3
硬度：5( mohs)
熔點(diǎn)：1050 ℃
透過(guò)范圍：350~5500nm
電光系數 ： r41=1.03x10-12m/V
折射率： 2.098@ 632.8nm
激發(fā)光譜： 305nm
臨界能量： 10.5Mev
能量分辨率： 20%511 keV @
生長(cháng)方法：提拉法
產(chǎn)品規格
常規晶向：（100）
晶向公差：±0.5°
內常規尺寸：10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm，5x5x0.5mm
拋光情況：?jiǎn)螔?、雙拋
拋光面粗糙度：Ra<5A
注：可按照客戶(hù)要求加工尺寸和晶向。
晶體缺陷
人工生長(cháng)單晶都可能存在晶體內部缺陷。
標準包裝
1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝
晶體材料咨詢(xún)電話(huà)：199-5653-2471王經(jīng)理
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