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AIN(氮化鋁)單晶襯底

發(fā)布時(shí)間:2024-03-16  瀏覽次數:385

AIN單晶襯底是一種具有特殊性能的寬禁帶半導體材料

晶體結構:

六方晶系

晶格常數:

a=3.112?;C=4.982?

密度:

3.23g/cm3

熱導率:

285w/mk

可用區域:

>80%

EPD :

<1E5 cm-2

吸收系數:

<80 cm-1

常規晶向:

c平面(0001

常規晶向:

1°

晶向公差:

10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm

常規尺寸:

雙拋

拋光情況:

A1:CP抽光(RMS<0.8nm)

拋光面粗糙度:

N:光學(xué)拋光(RMS<3nm)

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