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AIN單晶襯底是一種具有特殊性能的寬禁帶半導體材料
晶體結構: |
六方晶系 |
晶格常數: |
a=3.112?;C=4.982? |
密度: |
3.23g/cm3 |
熱導率: |
285w/mk |
可用區域: |
>80% |
EPD : |
<1E5 cm-2 |
吸收系數: |
<80 cm-1 |
常規晶向: |
c平面(0001 |
常規晶向: |
士1° |
晶向公差: |
10x10x0.45mm±50μm、5x5x0.45mm±50μm |
常規尺寸: |
雙拋 |
拋光情況: |
A1面:CP抽光(RMS<0.8nm) |
拋光面粗糙度: |
N面:光學(xué)拋光(RMS<3nm) |