產(chǎn)品名稱(chēng)

銻化鎵(GaSb)晶體基片

技術(shù)參數

晶體結構：立方晶系

晶格常數：6.095?

硬度（Mohs）4.5

密度：5.619 g/cm3

熔點(diǎn)：710℃

介電常數：15.7

熱膨脹系數：6.1×10-6/oK

熱導率：270 mW / cm.k at 300K

摻雜類(lèi)型：N型摻Te；P型不摻雜

載流子濃度：1~2x10¹⁷    1~5x10¹⁶   1~5x10¹⁸  2~6x10¹⁷     1~5x10¹⁶

位錯密度：<103 cm^-2

生長(cháng)方法：LEC 

產(chǎn)品規格

常規晶向：  （100）、（110）、（111）

常規尺寸：dia2"x0.5mm、10x10x0.5mm、10x5x0.5mm   

拋光情況：?jiǎn)螔?span>

表面粗糙度：<15A

注：尺寸及方向可按照客戶(hù)要求定做。

晶體缺陷

人工生長(cháng)單晶有可能存在晶體內部缺陷。

標準包裝

1000級超凈室，100級超凈袋或單片盒封裝